Výrobca Číslo produktu:
IPI35CN10N G
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI35CN10N G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
12801044
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI35CN10N G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 29µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1570 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
58W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI35C
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
IPI35CN10N G-DG
SP000208936
SP000680730
IPI35CN10NG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF540ZLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
862
ČÍSLO DIELU
IRF540ZLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
AOWF412
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AOWF412-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.97
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPD90N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
